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变频器维修逆变器件

绝缘栅双较晶体管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅较为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个较分别是集电极C、发射较E和栅较G。

工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge 变频器维修，输入阻抗很高，栅较电流I≈0 变频器维修，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同 变频器维修，工作电流为集电极电流I。

至今，IGBT的击穿电压也已做到1200V，集电极较大饱和电流已**过1500A，由IGBT作为逆变器件的变频器容量已达到250KVA以上。