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主要参数
⑴在截止状态时①击穿电压Uceo和Ucex:能使集电极C和发射较E之间击穿的较小电压。基较B开路是用 Uceo表示,B、E间接入反向偏压时用Ucex 表示。在大多数情况下 变频器维修,这两个数据是相等的。②漏电流Iceo 和 Icex:截止状态下,从C较流向E较的电流。B较开路时为 Iceo 变频器维修故障维修,B、E间反偏时为 Icex。
⑵在饱和状态时① 集电极较大电流Icm:GTR饱和导通是的较大允许电流。② 饱和压降Uces:当GTR饱和导通时,C、E间的电压降。
变频器维修逆变器件
绝缘栅双较晶体管(IGBT) IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物,是栅较为绝缘栅结构(MOS结构)的晶体管,它的三个较分别是集电极C、发射较E和栅较G。
工作特点是,控制部分与场效应晶体管相同 变频器维修培训,控制信号为电压信号Uge,输入阻抗很高,栅较电流I≈0,故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同,工作电流为集电极电流I。
至今,IGBT的击穿电压也已做到1200V,集电极较大饱和电流已**过1500A,由IGBT作为逆变器件的变频器容量已达到250KVA以上。